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本研究主要讲述电阻式存储器结构为铜(cu)为上电极、五氧化二钽(ta2o5)作为介电层、铂(pt)作为底电极时，元件的电学特性与利用穿透式电子显微镜观察之导电灯丝生成过程。导电灯丝生成过程是由铜先在介电层中生成，接着由于铜灯丝尖端电场的增加，吸引氧空缺的聚集，最后形成铜与氧空缺的双机制灯丝。